SI7894ADP-T1-GE3

功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • SI7894ADP-T1-GE3
  • 20000
  • VISHAY/威世
  • 23+
  • PAKSO-8
  • 原装正品 欢迎咨询 
  • 立即询价
  • SI7894ADP-T1-GE3
  • 60000
  • VISHAY
  • 全新环保批次
  • PAKSO-8
  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 
  • 立即询价
  • SI7894ADP-T1-GE3
  • 854533
  • AOS/万代
  • 22+
  • DFN3X3
  •  
  • 立即询价
  • SI7894ADP-T1-GE3
  • 540030
  • DIODES/美台
  • 22+
  • SOT-23
  •  
  • 立即询价
  • SI7894ADP-T1-GE3
  • 6000
  • Vishay / Siliconix
  • 1823+
  • 原厂原封
  • 十年信誉,只做原装,真实库存 
  • 立即询价